三維集成是通過在垂直方向上將多個獨立的芯片或功能層堆疊在一起的器件系統(tǒng)，能夠實現(xiàn)邏輯、存儲和傳感等功能的垂直集成和協(xié)同工作，是后摩爾時代的重要技術路線。

目前，商用的三維集成主要是通過封裝技術將多芯片或者多芯粒垂直堆疊和互聯(lián)。單芯片三維集成則是直接在同一芯片內部垂直集成多個器件層。通過將每一器件層直接制備在另一器件層之上，能夠進一步提高芯片的互聯(lián)密度和性能。然而，硅基單芯片三維集成面臨著嚴重的熱預算問題，其上層的硅溝道制備工藝會導致下層硅器件摻雜擴散和性能退化，限制了三維集成的發(fā)展。

針對這一挑戰(zhàn)，湖南大學物理與微電子科學學院教授劉淵科研團隊報道了一種低溫的范德華單芯片三維集成工藝。在該工藝中，源/漏/柵電極、層內互連金屬、高κ柵介電質、低κ層間介電層和層間垂直通孔等電路功能層首先預制備在犧牲晶圓上，之后在120 °C的低溫下范德華集成到半導體晶圓上。

通過逐層集成范德華預制備電路層和半導體層，團隊實現(xiàn)了10層的全范德華單芯片三維系統(tǒng)。同時，團隊發(fā)現(xiàn)范德華集成工藝不會對底部的硫化鉬晶體管電學性能產生影響，能夠保證晶體管的本征性能。進一步集成不同功能的電路層，團隊實現(xiàn)了邏輯、傳感和存儲互聯(lián)的三維異質集成和協(xié)同工作。該研究為單芯片三維集成系統(tǒng)提供了一條低能量路徑。

5月22日，該研究成果在線發(fā)表于《自然》雜志，湖南大學為獨立完成單位，湖南大學物理與微電子科學學院博士生陸冬林為第一作者，劉淵為唯一通訊作者。

該研究得到了來自國家自然科學基金、國家重點研發(fā)計劃等項目的資助。